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SiC MOSFET

第三代半導體材料功率器件是未來(lái)高性能功率器件的重要組成部分之一。東微研發(fā)團隊在寬禁帶半導體研究上有豐富的經(jīng)驗，研發(fā)了SiC MOSFET。

SiC MOSFET具有高功率密度、低反向恢復電荷、高開(kāi)關(guān)頻率的特性，工作溫度高達200°C，可以完美替代Si IGBT在高壓大功率領(lǐng)域的應用。

下載資料

Package	P/N	Cfg.	V_DS (V)	V_GS (V)	I_D (A)	V_{th_typ}(V)	R_on (Ω)
Package	P/N	Cfg.	V_DS (V)	V_GS (V)	T_c=25℃	V_{th_typ}(V)	18V
All TO247 TO247-4L TO247-plus TO263 TO263-7L TO247-4L-NL TOLL		All N Dual N	All 1200V 650V	All 30 20 15 -8/+22

封裝	料號	配置	VDS (V)	VGS (V)	ID (A) TA=25	Vth_typ(V)	Ron (Ω) 2.5v

應用領(lǐng)域

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